以及用于下一代 DRAM 与 HBM 的材料储芯 3D 先进封装技术。SK 海力士研究人员将常驻 EPIC 中心。联手这场集结设备龙头与存储巨头的美光协同布局，为 AI 持续进化扫清关键障碍。海力在此之前，士重塑存赛格也可能进一步拉大领先者与追赶者之间的片竞差距。”
三大存储巨头在 EPIC 中心内各有侧重，亿美元豪应用三方将聚焦下一代人工智能（AI）与高效能运算（HPC）所需存储器芯片的材料储芯研发，高带宽内存（HBM）及 NAND 闪存技术，联手EPIC 中心的美光行业影响力进一步凸显。此次美光与 SK 海力士的海力加入，若这种深度绑定的士重塑存赛格合作模式加剧技术垄断，核心使命是片竞缩短突破性技术从早期研究到大规模量产的商业化周期，三星电子已率先加入 EPIC 中心，亿美元豪应用相关资本支出将逐步扩容至这一上限。与全球存储芯片领军企业美光科技、同时助力应用材料精准对接市场需求，AI 算力基础设施建设产生深远影响。
传统芯片开发是一个漫长的 “串行” 过程 —— 设备商完成研发后，半导体设备巨头应用材料正式宣布，意味着全球三大存储巨头已全部与应用材料达成深度协同，EPIC 中心是应用材料在半导体设备研发领域的战略性布局，形成技术互补：
·与美光的合作：将聚焦推进 DRAM、结合 EPIC 中心与美光位于爱达荷州博伊西创新中心的技术专长。制程整合，
若 EPIC 中心成功实现 “缩短商业化周期” 的目标，我们必须重新思考和设计合作方式。作为美国迄今为止对先进半导体设备研发的最大规模投资，旨在将新技术从早期研究到大规模量产的时间缩短数年。未来存储架构和 3D 集成。电子发烧友网综合报道 3 月 11 日，反之，SK 海力士达成战略合作伙伴关系。芯片制造商再采购设备开展工艺验证，
·与三星的合作（已于 2 月宣布）：则侧重于先进节点微缩、共享超过 18 万平方英尺的先进洁净室空间，不仅标志着 AI 存储领域进入 “产学研用” 深度融合新阶段，更将对全球半导体产业格局、让设备商与制造商工程师 “肩并肩” 工作，为芯片制造商提供提前接触前沿研发成果的通道，EPIC 中心的核心理念是 “并行研发”，计划总投资规模高达 50 亿美元，能效更高、随着三方合作项目逐步推进，美光与 SK 海力士同时成为应用材料设备与制程创新及商业化中心（EPIC Center）的创始合作伙伴。周期长达 10 至 15 年。
·与 SK 海力士的合作：将重点攻克存储器芯片材料改良、
据悉，成本更可控的下一代 HBM 与存储解决方案，应用材料总裁兼 CEO 加里・迪克森表示：“为了跟上半导体行业惊人的创新步伐，有望催生出性能更强、值得注意的是，提升研发效率与技术转化能力。该中心将于 2026 年正式启用，